真空電子
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真空器件中電極表面微結(jié)構(gòu)對(duì)其二次電子發(fā)射性能的影響
本文對(duì)金屬材料二次電子發(fā)射性能和用于行波管收集極的低二次電子發(fā)射系數(shù)電極材料研究進(jìn)行了綜述,并著重對(duì)電極材料表面尖錐陣列微結(jié)構(gòu)層對(duì)二次電子發(fā)射性能的影響進(jìn)行了細(xì)致的有限元計(jì)算分析。
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Y2O3含量對(duì)熱壓燒結(jié)AlN-玻璃碳復(fù)相材料性能的影響
本文以AlN和玻璃碳為原料,以Y2O3作燒結(jié)助劑,采用熱壓燒結(jié)工藝制備了AlN-玻璃碳復(fù)相微波衰減材料,研究Y2O3含量對(duì)試樣的燒結(jié)性能、顯微結(jié)構(gòu)、導(dǎo)熱性能等的影響。
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SiC-AlN復(fù)相陶瓷材料的無(wú)壓燒結(jié)和導(dǎo)熱性能
本文從材料制備角度出發(fā),研究了AlN的添加量對(duì)于SiC-AlN復(fù)相陶瓷材料的燒結(jié)性能、晶相、微結(jié)構(gòu)和導(dǎo)熱性能的影響。
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“開桶即用”特高溫陶瓷金屬化專用鎢及其復(fù)合粉的開發(fā)
本文在此基礎(chǔ)上,進(jìn)行了“開桶即用”特高溫陶瓷金屬化專用鎢及WY2O3復(fù)合粉的制備工藝探索及開發(fā)。
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MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)及金剛石膜材料在微波電真空器件中的應(yīng)用
本文將首先簡(jiǎn)述MPCVD方法沉積金剛石膜的原理,進(jìn)而介紹國(guó)內(nèi)外MPCVD金剛石膜沉積技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀以及MPCVD方法在制備高品質(zhì)金剛石膜材料方面的應(yīng)用情況。
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雙光柵繞射輻射器件中模式競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題的研究
對(duì)雙光柵繞射輻射器件諧振系統(tǒng)的模式競(jìng)爭(zhēng)特性進(jìn)行了分析,研究了工作模式的主要競(jìng)爭(zhēng)模式及其抑制措施。
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Q/V波段空間行波管及應(yīng)用
本文介紹了國(guó)內(nèi)外Q/V波段空間行波管研就進(jìn)展及其應(yīng)用需求情況,為后期的深入研究及應(yīng)用提供了有利依據(jù)。
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中科院電子所空間行波管仿真設(shè)計(jì)軟件IESTWT
針對(duì)空間行波管的特點(diǎn),開發(fā)了“電子所行波管仿真設(shè)計(jì)軟件IESTWT”,以實(shí)現(xiàn)快速、可靠的綜合指標(biāo)優(yōu)化能力。
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電源紋波對(duì)行波管放大器性能影響的研究
定量地分析了行波管放大器中高壓電源的紋波對(duì)行波管放大器輸出性能產(chǎn)生的影響,根據(jù)分析制定合理的電源技術(shù)指標(biāo)。通過(guò)有效的紋波抑制手段來(lái)提高行波管放大器的輸出性能。
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真空滅弧室機(jī)械參數(shù)確定原則
本文總結(jié)了真空滅弧室和真空開關(guān)的機(jī)械參數(shù)及其關(guān)系,并論述了相關(guān)機(jī)械參數(shù)的來(lái)源、確定依據(jù)以及相關(guān)關(guān)系,以此推導(dǎo)出相對(duì)最佳的保證開關(guān)電氣性能的機(jī)械參數(shù)。
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真空滅弧室小型化電極設(shè)計(jì)的初步探討
本文針對(duì)真空滅弧室小型化的需要,設(shè)計(jì)不同的電極結(jié)構(gòu),分析其磁場(chǎng)分布,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)其性能進(jìn)行初步的研究分析。
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W波段分布作用速調(diào)管電子光學(xué)系統(tǒng)的研究
本文設(shè)計(jì)了W波段分布作用速調(diào)管高壓縮比電子槍和均勻場(chǎng)永磁聚焦系統(tǒng);分析了電子槍區(qū)瓷封邊對(duì)槍區(qū)磁場(chǎng)以及電子注直流通過(guò)率的影響。
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一種新型的90°彎曲圓波導(dǎo)TE01-TM11模式變換器的設(shè)計(jì)
在耦合波理論的基礎(chǔ)上,對(duì)圓波導(dǎo)軸線彎曲結(jié)構(gòu)的TE01-TM11模式變換器進(jìn)行了理論分析。
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陰極分解和激活工藝對(duì)磁控管頻譜主副瓣比的影響
通過(guò)對(duì)陰極分解溫度和激活溫度的合理控制,不僅使陰極的活性和發(fā)射穩(wěn)定性得到顯著提高,而且使管內(nèi)電極除氣更加徹底,有效提高磁控管的工作穩(wěn)定度。
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雙間隙偽火花開關(guān)沿面放電觸發(fā)材料的測(cè)試與研究
本文介紹了一種新型大電流脈沖調(diào)制器件———雙間隙偽火花開關(guān),并就雙間隙偽火花開關(guān)沿面放電的三種觸發(fā)材料進(jìn)行了相關(guān)研究。
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噴膏工藝的初步探討
本文在傳統(tǒng)噴涂法的基礎(chǔ)上,借鑒噴釉工藝,創(chuàng)新出了噴膏工藝,有效地保證了此類非回轉(zhuǎn)體、小型化、高精度、高柔性的金屬化瓷件的科研和量產(chǎn)。
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