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電弧離子鍍與磁控濺射復合技術制備Ti/TiN/TiAlN復合涂層的組織結構與力學性能
采用磁控濺射和電弧離子鍍技術,在高速鋼基體上制備了Ti/TiN/TiAlN復合涂層。采用掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、顯微硬度計、微米劃痕儀等方法研究了鍍覆條件對復合涂層的形貌、組織結構和力學性能的影響。
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鈦表面等離子體氧化及其對細胞粘附增殖的影響
本試驗在噴砂酸蝕工藝處理獲得的鈦片試樣表面進行等離子體氧化,分析等離子體氧化后鈦試樣的表面形貌、化學組成、價鍵狀態(tài)、親水性和成骨細胞粘附增殖的情況。
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原子層沉積制備VO2薄膜及特性研究
本文旨在利用ALD 技術,以VO(acac)2和O2分別作為釩源和氧源,以玻璃為基底,在實現飽和吸附的前提下,通過改變沉積條件以及退火條件來研究不同反應溫度及退火條件對VO2薄膜結構及性能的影響,為后續(xù)VO2薄膜進一步研
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ECR等離子體刻蝕增強機械拋光CVD金剛石
本文采用ECR等離子體刻蝕與機械拋光相結合的方法拋光CVD金剛石,并與單純的機械拋光CVD金剛石相比較,發(fā)現在機械拋光中增加ECR等離子體刻蝕能明顯增強機械拋光效率,特別是在機械拋光前期,組合拋光效率是機械拋光效
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銀修飾氮摻雜TiO2薄膜的制備及光催化性能研究
本文采用磁控濺射法制備不同Ag含量的氮摻雜TiO2薄膜,并分析其形貌結構、表面元素化學態(tài)、光學性能以及可見光催化活性,研究Ag的含量對薄膜性能的影響。
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固態(tài)碳源溫度對法CVD生長石墨烯薄膜影響的研究
本文主要探索了固態(tài)源溫度變化對石墨烯生長的影響,并采用固態(tài)源動態(tài)變溫的方法生長了石墨烯,有效提高了所得石墨烯薄膜的覆蓋率。
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退火溫度對CuGa0.8Ge0.2Se2薄膜結構及光學特性的影響
本文采用脈沖激光沉積方法,將Ⅳ族元素Ge摻雜在CuGaSe2中,在鈉鈣玻璃上沉積一定厚度的納米薄膜,研究了退火溫度對薄膜晶體結構和成分的影響,表征了薄膜的表面形貌,分析了薄膜的光學特性。
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基于真空吸附的微器件受力分析研究
本文針對MEMS機構中平板類微器件設計了一種基于真空吸附的微夾持系統(tǒng)。重點對微器件在不同吸附與釋放條件下進行了它的受力分析,建立了力學模型,為實現穩(wěn)定可靠的吸附提供了計算依據。
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真空管道HTS磁浮系統(tǒng)中振動耗能法電磁制動分析
本文討論在真空管道高溫超導(HTS)磁浮系統(tǒng)中運行的車體利用振動耗能的原理實現制動。在西南交通大學超導與新能源研究開發(fā)中心的真空管道HTS磁懸浮實驗系統(tǒng)上實驗驗證了此方法的合理性與實用性。
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真空鍋爐現狀和發(fā)展趨勢的研究
本文從增強真空鍋爐換熱穩(wěn)定性、強化凝結換熱、提高能量利用效率等方面對影響真空鍋爐整體性能的因素進行系統(tǒng)的分析,真空鍋爐現狀和發(fā)展趨勢的研究,總結了真空鍋爐現狀和發(fā)展趨勢。
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真空絕熱板熱橋效應傳熱模型分析與優(yōu)化
本文在前人研究的基礎上建立真空絕熱板邊緣線性傳輸率的模型并加以分析,提出更加全面的真空絕熱板熱橋效應優(yōu)化措施,找到優(yōu)化創(chuàng)新點,對VIPs的推廣應用具有重大的指導意義。
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平板觸頭分離過程直流真空電弧形態(tài)與電壓特性
本文首先介紹了基于可拆卸滅弧室的真空電弧研究平臺,利用該平臺研究了在不同幅值的近似恒定直流條件下,平板觸頭分離過程中真空電弧形態(tài)演化和電弧電壓特性,并就實驗結果進行了討論。
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電推進技術在全電推進衛(wèi)星平臺的應用研究
文章介紹了全電推進衛(wèi)星平臺的進展情況析了全電推進衛(wèi)星平臺的任務需求,介紹了全電推進系統(tǒng)方案及應用模式,最后分析了全電推進平臺對電推進的主要性能需求。
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電推進軌道轉移效益與風險
電推進作為一種先進的推進技術,具有比沖高的突出優(yōu)勢,是提升衛(wèi)星性能的重要技術,在國外高軌軍事衛(wèi)星平臺和商業(yè)衛(wèi)星平臺上均得到了廣泛應用。當前我國已突破電推進單機技術,并得到在軌飛行驗證。
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