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真空應用

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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

工藝參數(shù)和熱處理溫度對ZrW2O8薄膜制備的影響

隨著濺射功率的增加,薄膜沉積速率增加;而隨著工作氣壓的增加,薄膜沉積速率先增加后減小;磁控濺射沉積制備的ZrW20s薄膜為非晶態(tài),表面平滑、致密。
AZ31鎂合金表面復合鍍膜工藝研究

研究了在AZ31鎂合金表面依次進行浸鋅、化學鍍鎳、電鍍銅、電弧離子鍍Cr/CaN的復合鍍膜工藝。
脈沖輝光PECVD制備DLC薄膜的結構和性能研究

類金剛石碳膜以其優(yōu)異的性能,諸如高電阻率、高硬度、低摩擦系數(shù)、良好的光學特性等顯示出良好的應用前景,越來越受到人們的關注.本文利用脈沖輝光PECVD在不同的脈沖電壓下成功地制備了DIE薄膜.
離子束流和基底溫度對ZrN/TiAlN納米多層膜性能的影響

大部分多層膜的納米硬度與彈性模量值都高于兩種個體材料硬度的平均值,當輔助束流為5 mA時,多層膜硬度達到30.6 GPa.基底溫度的升高,會顯著降低薄膜的殘余應力,但對薄膜的硬度,摩擦系數(shù)沒有明顯影響.
調制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響

利用射頻磁控濺射技術,在室溫下合成了具有納米調制周期的TiB2/TiAlN多層膜.分別采用表面輪廓儀、納米力學測試系統(tǒng)、多功能材料表面性能實驗儀和XRD,分析了調制周期對TiB2/TiAlN納米多層膜機械性能的影響.
食品的真空和真空充氣軟包裝

真空包裝：將食品裝入包裝袋，抽出包裝袋內的空氣，達到預定真空度后，完成封口工序。真空充氣包裝：將食品裝入包裝袋，抽出包裝袋內空氣達到預定真空度后，再充入氮氣或其它混合氣體，然后完成封口工序。
ZnO:Mn稀磁薄膜光學性質和鐵磁行為分析

采用脈沖激光沉積技術在藍寶石(α-Al2O3)襯底上制備了不同Mn摻雜濃度的ZnO薄膜.實驗結果表明,合適濃度的Mn的摻人,有利于ZnO:Mn薄膜(002)生長而不形成Mn的氧化物。
薄膜的應力控制技術研究現(xiàn)狀

薄膜應力普遍存在于薄膜元器件中,從而影響薄膜器件性能,限制了其良好的應用前景.所以控制薄膜的應力,消除其不良影響,是薄膜生產(chǎn)工藝中不可或缺的技術手段。
濺射角度對氧化鉻薄膜性能結構的影響

硬質涂層對工件表面改性已經(jīng)成為現(xiàn)代先進制造加工行業(yè)越來越重視的工藝,工件一般為復雜外形,保證工件表面涂層性能結構的一致性尤為重要。
GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生長

本工作采用化學氣相淀積方法,以GcH4為反應氣源,以InN/CaN/Al2O3(0001)復合襯底作陪片,在CaN/Al2O3(0001)復合襯底上外延生長了Ge薄膜,并對生長機理進行了探討。
真空冷凍干燥技術及設備的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢

通過分析真空冷凍干燥技術、設備、工藝和理論研究的現(xiàn)狀,找出其存在的問題,預測今后的發(fā)展趨勢。
食品真空干燥的特點與新老裝置的發(fā)展

真空干燥在食品工業(yè)中有廣泛的重要的應用，進幾年來，真空技術與微波加熱技術和其它干燥技術相結合，出現(xiàn)了一些新的真空干燥裝置類型，提出了我國應加快研制開發(fā)真空微波干燥裝置的新觀點。
真空包裝(vacuum packaging)

真空包裝是將物品裝入氣密性容器后，在容器封口之前抽真空，使密封后的容器內基本沒有空氣的一種包裝方法。真空包裝法也稱減壓包裝法或排氣包裝法。
真空輸運（vacuum handling）

利用真空與大氣空間存在壓力差所產(chǎn)生的力來做功的。由于這種機械能存在著壓強處處均勻的特點，這些真空設備在糧食、面粉、飼料行業(yè)運用較多。
真空熱水鍋爐的構造特點

真空熱水鍋爐的結構是由燃燒室(火爐)、水管、負壓蒸汽室、熱交換器、熱媒介水等組成的。本文以雙回路真空熱水鍋爐為例講述真空熱水鍋爐的構造特點。
接觸式真空吸取技術的研究現(xiàn)狀

真空吸取的執(zhí)行器為真空吸盤，采用負壓抽吸等方法在吸盤內產(chǎn)生一定的真空度，從而吸著工件。本文簡單闡述接觸式真空吸取技術的研究現(xiàn)狀。
真空吸取技術的發(fā)展趨勢

隨著研究的深入和技術的進步，合理利用新技術和新方法，能優(yōu)化吸盤結構、增強吸取效果，推動接觸式真空吸取技術朝著多工況適應、多形狀夾持、高效節(jié)能等方向發(fā)展。
1分鐘100只口罩，真空技術助力全自動口罩機的研發(fā)

近日，中國航空制造技術研究院研制出全自動口罩機的消息引發(fā)關注。這種口罩機可連續(xù)工作24小時，每分鐘生產(chǎn)100片，一人也可同時照料多臺機器。
中國半導體設備現(xiàn)狀總結與分析

2017 年全球半導體設備市場總量約為 566 億美元，同比+37%，2018 年預計在 600 億美元規(guī)模。中國是全球半導體設備的第三大市場。
真空三極管的發(fā)明歷程——電子帝國的源頭

真空三極管使人類第一實現(xiàn)了電信號的放大，為無線電話通信奠定了基礎。