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立方氮化硼薄膜的制備及研究
本文采用過渡層技術,在硅片上先沉積三元BC-N過渡層,再沉積c-BN層,有效地降低薄膜內應力,實現(xiàn)了c-BN厚膜的制備。同時,本文也對薄膜的結構、成分、表面狀態(tài)和納米硬度進行了表征。
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Ti6Al4V表面沉積TiCN薄膜的結構及水環(huán)境中的摩擦學性能
本文即采用多弧離子鍍技術在Ti6Al4V合金表面沉積TiCN薄膜,研究了該薄膜的形貌、結構以及在干摩擦、水和海水環(huán)境條件下的摩擦學行為。
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硫渣真空蒸餾的實驗探究
本文采用真空蒸餾的方法,利用錫與硫化亞銅在真空高溫下進行反應,得到硫化亞錫與金屬銅,其中硫化亞錫在此條件下全部揮發(fā),從而實現(xiàn)硫渣中錫銅分離回收的目的,為硫渣處理的新方法提出了思路。
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MgO/Au復合薄膜的反應射頻磁控濺射法制備及表面形貌研究
本文采用反應射頻磁控濺射法制備MgO/Au復合薄膜,比較了Mg靶和Au靶共濺射、分步濺射制備復合薄膜的表面成分及形貌,研究了濺射時襯底溫度和Ar/O2氣體流量比對薄膜晶粒分布、晶粒尺寸和結晶取向的影響。
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鋼鐵基體沉積金剛石膜的研究進展
本文對不同成分和組織鋼鐵基體化學氣相沉積金剛石膜的影響因素進行了分析,綜述了鋼鐵表面化學氣相沉積金剛石膜的國內外研究現(xiàn)狀,指出了今后鋼鐵上沉積金剛石膜的發(fā)展方向。
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基于氧化錫薄膜的表面?zhèn)鲗鲋掳l(fā)射陰極陣列的制備及性能研究
利用磁控濺射和陽光刻技術在玻璃基底上成功制備了不同厚度SnO2的表面?zhèn)鲗鲋掳l(fā)射陰極陣列,并測試其場致發(fā)射性能。
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真空管道交通系統(tǒng)超音速狀態(tài)下熵層的研究
基于粘性流體k-ε雙方程湍流模型,建立真空管道交通系統(tǒng)三維數(shù)學模型和物理模型,并在超音速狀態(tài)下對所建模型進行數(shù)值模擬。
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SiC顆粒增強鋁基復合材料的真空釬焊性研究
選用Pb80Sn20釬料,對體積分數(shù)20%的SiCP/A356復合材料進行真空釬焊,分析了表面鍍鎳和不鍍鎳對其真空釬焊性的影響,并通過金相顯微、能譜分析等手段研究了保溫時間對其釬焊接頭組織的影響。
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126kV模塊化三斷口真空斷路器靜、動態(tài)均壓設計
采用有限元法計算了U型三斷口真空斷路器的分布電容參數(shù),并通過工頻分壓特性試驗驗證了計算的準確性,根據靜態(tài)分壓比計算結果選擇了合適的靜態(tài)均壓電容值。
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