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陽極氧化法制備壁壘型Al2O3絕緣膜的研究

采用陽極氧化法在Al膜上制備具有絕緣性能的壁壘型Al2O3膜,研究不同成分比例的電解液、陽極氧化電壓對(duì)壁壘型Al2O3膜性能的影響。

銅砷銻多元合金真空蒸餾硫化法除砷銻

從理論上分析了采用真空蒸餾硫化法處理銅砷銻多元合金除As,Sb的可行性,并通過實(shí)驗(yàn)探討了加硫量、蒸餾溫度、蒸餾時(shí)間對(duì)As,Sb脫除效果的影響。

石墨輔助NbSe2納米棒的制備及其摩擦學(xué)性能

將石墨、鈮粉、硒粉按配比稱取,置于密閉體系中,于750℃下,固相反應(yīng)制備出二硒化鈮納米棒,并使用X射線衍射、能量散射譜、掃描電鏡和透射電鏡對(duì)其進(jìn)行結(jié)構(gòu)形貌進(jìn)行表征。

氣壓及偏壓對(duì)磁控濺射TaN薄膜力學(xué)性能影響

采用電子回旋共振增強(qiáng)磁控濺射在不銹鋼基體上制備六方相TaN薄膜,并研究了氣壓及偏壓對(duì)TaN薄膜結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能的影響。

納米α-Fe2O3的原位生長及其場發(fā)射性能研究

采用空氣熱氧化法在鐵基片上原位生長納米α-Fe2O3,并通過掃描電鏡、X射線衍射、場發(fā)射等對(duì)600℃下氧化不同時(shí)間所制得樣品的形貌、結(jié)構(gòu)、場發(fā)射性能進(jìn)行表征和分析。

離子鍍Ti(1-x)AlxN涂層的形貌及力學(xué)性能研究

等離子體輔助鋁誘導(dǎo)納米硅制備多晶硅的研究

將納米硅誘導(dǎo)源和等離子體輔助退火工藝相結(jié)合, 對(duì)于鋁誘導(dǎo)法獲得大晶粒、高質(zhì)量的多晶硅薄膜具有十分重要的意義。

WC/DLC納米多層膜微觀結(jié)構(gòu)研究

陽極層流型氣體離子源與非平衡磁控濺射復(fù)合技術(shù)沉積制備WC/DLC納米多層膜,并在膜/基間設(shè)計(jì)了中間過渡層。

Ta和Ag離子雙注入Ti6Al4V合金抗Hank’s溶液腐蝕性能研究

采用Ta和Ag離子雙注入對(duì)醫(yī)用Ti6Al4V合金進(jìn)行表面改性,以Ta離子1.5×1017ions/cm2先注入,Ag離子1×1017ions/cm2后注入合金樣品表面。

La摻雜對(duì)CdS薄膜性能的影響

采用化學(xué)水浴法在玻璃襯底上制備了純CdS薄膜和稀土La摻雜的CdS薄膜,在氮?dú)鈿夥罩袑?duì)薄膜進(jìn)行熱處理

IVA元素?fù)诫s的ZnO的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)

基于密度泛函理論的總體能量平面波模守恒贗勢方法,對(duì)摻雜Si、Ge、Sn的ZnO的電導(dǎo)率和光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了理論研究。

CdSe量子點(diǎn)/PVK復(fù)合電雙穩(wěn)器件的制備及載流子輸運(yùn)性能研究

對(duì)電流-電壓曲線和電容-電壓曲線展開討論,驗(yàn)證器件的載流子捕獲與釋放機(jī)制,闡述載流子在該器件的輸運(yùn)機(jī)制。

CASTOR托卡馬克邊緣溫度漲落與密度漲落的特殊關(guān)系

在CASTOR托卡馬克邊緣,通過對(duì)能量分布函數(shù)b-i Maxwell分布電子的溫度漲落和密度漲落的研究。

應(yīng)用差分液相色譜/原子熒光法提高砷形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)曲線的相關(guān)系數(shù)

當(dāng)用液相色譜-原子熒光(HPLC-AFS)分析砷形態(tài)時(shí),如果樣品中包含保留時(shí)間接近的形態(tài),將導(dǎo)致色譜峰部分重疊。

壓縮超級(jí)像素遺傳算法重現(xiàn)離軸電子全息圖

對(duì)重現(xiàn)離軸電子全息圖的遺傳算法進(jìn)行了研究,討論了參考波波矢和超級(jí)像素尺寸對(duì)重現(xiàn)結(jié)果的影響規(guī)律,并在此基礎(chǔ)上對(duì)遺傳算法進(jìn)行了改進(jìn)。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的研究

以電子束真空熔煉直接定向凝固技術(shù)制備5N 高純銅大鑄錠為研究目標(biāo), 利用電子束熔煉原材料, 熔體直接定向凝固后得到高純銅鑄錠。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的氧氫元素去除效果

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的有了較大幅度的下降。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的金屬雜質(zhì)去除效果

電子束精煉直接定向凝固獲得的高純銅, 含量較高的22 種雜質(zhì)元素總量降低至2.765 *10- 6, 銅鑄錠純度提高至99.9997235% , 為5N 高純銅。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的凝固組織及晶粒取向

經(jīng)過電子束精煉直接定向凝固得到直徑59 mm*139 mm 高純銅圓鑄錠。沿其側(cè)面剖切開表現(xiàn)出高純特點(diǎn)的定向凝固組織通過X 射線衍射(XRD) 研究了晶粒取向的變化。

電子束真空精煉直接定向凝固制備高純銅的實(shí)驗(yàn)過程

以電子束真空熔煉直接定向凝固技術(shù)制備5N 高純銅大鑄錠為研究目標(biāo), 利用電子束熔煉原材料, 熔體直接定向凝固后得到高純銅鑄錠。