真空應用
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VOx/TiOx/Ti多層薄膜的制備工藝與內(nèi)耗研究
用磁控反應濺射法在玻璃和鉬片襯底上制備VOx/TiOx/Ti多層薄膜。用X射線衍射(XRD)、QJ31單臂電橋、薄膜內(nèi)耗儀等測試了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、電阻、內(nèi)耗。
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一種全自動超高真空電子束蒸發(fā)薄膜生長系統(tǒng)
由于薄膜生長均勻、沉積速率和膜厚易控、可制備大面積薄膜等特點,電子束沉積技術(shù)在超導薄膜、多層巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究。
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準分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行為的研究
利用KrF準分子激光對非晶硅薄膜的表層進行了晶化。研究了激光能量密度和照射脈沖數(shù)對薄膜結(jié)晶度的影響,并對晶化后薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)進行了表征。
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塑料表面濺射電磁屏蔽膜的研究
本文采用磁控濺射技術(shù)在聚酯塑料上制備出附著力大于5MPa、2GHz~4GHz頻率范圍內(nèi)屏蔽效能大于60dB的復合結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽膜,并研究了導電膜、導磁膜及其復合膜層的電磁屏蔽特性。
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基底溫度對四元疊層硒化法制備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜的影響
利用四元疊層硒化法制備了銅銦鎵硒(縮寫為CIGS)薄膜,重點分析了在疊層法制備CIGS薄膜過程中,基底溫度對CIGS薄膜的晶體結(jié)構(gòu),表面形貌以及各種元素沿深度分布的影響。
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PI襯底上電沉積Cu薄膜的晶面擇優(yōu)取向
采用硫酸鹽電沉積法,利用X 射線衍射儀(XRD)、掃描電鏡(SEM)等手段研究了不同電沉積條件下在PI膜表面制備的Cu薄膜的晶面擇優(yōu)取向、平均晶粒尺寸及表面形貌。
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SiO2薄膜制備的現(xiàn)行方法綜述
SiO2薄膜的現(xiàn)行方法主要有磁控濺射、離子束濺射、化學氣相沉積、熱氧化法、凝膠-溶膠法等。本文系統(tǒng)闡述了各種方法的基本原理、特點及適用場合,并對這些方法做了比較。
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直流反應磁控濺射在3003鋁箔表面制備薄膜的研究
為有效提高3003鋁箔表面光澤度、比面積及強硬度,采用直流反應磁控濺射的方法,在一定濺射參數(shù)條件下,選用高純鉬靶和鈦靶對3003鋁箔進行濺射實驗。
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基于PLC的真空蒸發(fā)廢油處理自動控制
本文介紹了PLC 在廢油處理設(shè)備自動控制系統(tǒng)中的應用。主要介紹了真空蒸發(fā)工藝及PC—PLC控制系統(tǒng)的主要功能等。
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寬光譜監(jiān)控法鍍制高精度增透膜的研究
本文介紹了使用寬光譜監(jiān)控系統(tǒng)鍍制增透膜的基本原理和技術(shù)特點,寬光譜光學鍍膜監(jiān)控系統(tǒng)在鍍制寬帶增透膜等寬帶產(chǎn)品方面具有特有的優(yōu)勢。
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電磁熱泵技術(shù)在真空制鹽中的應用及其節(jié)能研究
電磁熱泵具有泵和電機之間無軸傳動、安全靜密封、永不泄露及一體化的特點。本文在簡要介紹電磁熱泵技術(shù)性能和特點的基礎(chǔ)上將其創(chuàng)造性的應用于真空制鹽系統(tǒng)中,從而達到節(jié)能目的。
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一種嶄新的鍍膜技術(shù)——等離子體束濺射
詳細描述一種等離子體高效濺射系統(tǒng)及應用工藝。此種嶄新的濺射技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效及濺射鍍的高性能特點, 特別在多元合金以及磁性薄膜的制備, 具有其他手段無可比擬的優(yōu)點。
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新型等離子體束濺射鍍膜機
本文介紹了新型的等離子體束濺射鍍膜機的系統(tǒng)組成、特點、試驗結(jié)果等內(nèi)容。該鍍膜機將等離子體發(fā)生和控制技術(shù)應用于濺射鍍膜中,克服了磁控濺射的靶材利用率低及難以沉積鐵磁性材料的缺點。
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電子束蒸發(fā)制備CdS多晶薄膜及性質(zhì)研究
采用電子束蒸發(fā)工藝在普通玻璃襯底上制備了硫化鎘(CdS) 多晶薄膜,研究了不同襯底溫度對薄膜結(jié)構(gòu)、表面形貌及光透過率的影響。
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