97久久精品人人澡人人爽,国内精品久久久久久99蜜桃,欧美大胆少妇大尺度裸体

真空技術應用

真空技術網>真空應用>真空技術應用>

推薦真空熱水鍋爐的構造特點

真空熱水鍋爐的結構是由燃燒室(火爐)、水管、負壓蒸汽室、熱交換器、熱媒介水等組成的。本文以雙回路真空熱水鍋爐為例講述真空熱水鍋爐的構造特點。

PDP低灰度級圖像反伽馬校正色彩還原方法

為了解決等離子體顯示器(PDP)反伽馬校正中低灰度級增強引起的色彩失真和偏移,提出了一種低灰度級圖像色彩還原方法。
傳輸法模擬濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性

利用傳輸法把濾波器型輸出回路等效為雙端口微波網絡問題,通過理論分析,數(shù)值模擬和冷測實驗證明了S21平方后的曲線能定性反映濾波器型輸出回路的間隙阻抗頻率特性。
改進的AlGaN/GaN HEMT小信號參數(shù)提取算法

制作了截止頻率ft和最高震蕩頻率fmax分別為46.2和107.8 GHz的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管,并針對該器件建立了包含微分電阻Rfd和Rfs在內的18元件小信號等效電路模型;在傳統(tǒng)的冷場條件提取器件寄生參數(shù)的基礎上,通過
表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器件制備工藝研究

介紹了表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示器件陰極基板和陽極基板的制備方法及其詳細的真空封接工藝。
帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的研究

建立了帶狀注矩形截面Cerenkov脈塞中注波互作用的三維物理模型。采用保留金屬格柵槽區(qū)內高次模式的方法,將電磁場表示為本征模級數(shù)和的形式,運用Borgnis函數(shù)法和場匹配法推導了注波互作用結構的混合模色散方程。
基于C-W復合膜/無定形碳納米島的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射陰極

介紹了基于C-W復合膜/無定形碳納米島的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射陰極,并對其制備工藝和發(fā)射性能進行討論。
超高速碰撞產生瞬態(tài)磁場的時間尺度特征

在超高速碰撞的早期階段會產生瞬態(tài)等離子體云,等離子體云能以某種機理產生電流和磁場。在靶板表面的等離子體云中產生的非線性電子溫度和電子密度梯度將產生磁場,場的持續(xù)時間從10-6s到約60s,依賴于彈丸的碰撞能量。
柱形單極表面波等離子體天線控制模型研究

由氣體分子動力學及波爾茲曼方程建立了基于柱形單極表面波等離子天線結構的控制模型,通過推導和計算得出了一系列模型方程。
伴有二次電子發(fā)射的磁化等離子體鞘層結構特性

等離子體鞘層二次電子發(fā)射磁場
超導托卡馬克EAST限制器材料的腐蝕與沉積的研究

在磁約束聚變實驗裝置托卡馬克中,第一壁材料直接面對高溫等離子體,承受高能粒子的轟擊。隨著聚變裝置等離子體存在時間的延長及輔助加熱功率的增加,第一壁材料腐蝕和沉積將會越來越嚴重。材料的腐蝕一方面會污染等離
大氣壓等離子體射流改性船體鋼表面親水性研究

在室溫下,采用大氣壓等離子體射流對船體鋼進行表面改性,通過水接觸角測量、掃描電鏡、X射線光電子能譜等分析測試方法研究了等離子體射流處理前后船體鋼表面潤濕性、表面形貌及化學特性的變化。
真空速凝技術制備釹鐵硼永磁體工藝的發(fā)展

從制造高性能釹鐵硼永磁體的工藝和設備兩個方面概述了真空速凝技術(SC)的發(fā)展歷程以及目前的主流技術。
基于真空蒸餾技術的內河船舶黑水處理裝置監(jiān)控系統(tǒng)設計

為保護內河水質,研發(fā)了基于真空蒸餾技術(VDT技術)的內河船舶黑水處理裝置,并對其監(jiān)控系統(tǒng)進行了詳細設計。
雙間隙諧振腔耦合縫調諧結構的分析與模擬

軟件模擬與理論分析結果一致,驗證了該調諧結構的有效性,為多間隙耦合腔高頻電路的研制和進一步展寬速調管輸出帶寬具有重要的參考意義
時變等離子體覆蓋導體圓柱的雙站散射特性分析

研究時變等離子體覆蓋導體圓柱的雙站散射特性對等離子體隱身技術和太空再入體的跟蹤識別技術具有重要的意義。
Ka波段TE01�；匦胁ü軐拵л斎腭詈掀鞯脑O計

Ka波段TE01�；匦胁ü艿妮斎腭詈掀鲗⒕匦尾▽е休斎氲腡E10模轉化為圓波導中TE01模的行波場,以實現(xiàn)對回旋電子注角向速度的調制。
真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)的混合斷路器開斷容量增益特性分析

基于真空和SF6氣體兩種不同滅弧介質的滅弧特點,分析真空滅弧室與SF6滅弧室串聯(lián)組成的混合斷路器可獲得更大開斷能力的機理。
新型前柵場發(fā)射器件的研究

采用刻蝕型介質制作前柵場發(fā)射器件。該器件中陰柵結構的形成是利用刻蝕工藝刻蝕介質層,一次性實現(xiàn)柵孔和陰極電極的連通,最后利用電泳沉積工藝轉移碳納米管制備成陰極發(fā)射點陣。
后柵結構SnO2場致發(fā)射顯示器件的研制

采用高溫氣相法生長SnO2納米線,掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀分析表明所生長的SnO2納米線大小均勻,直徑約為150 nm,長可達10μm。
無極燈啟動特性研究

為了研究提高無極燈光效的方法, 本文測量了無極燈啟動階段的電參數(shù)和發(fā)射光譜, 分析了點燈后阻抗、Hg原子光譜強度、Ar 原子光譜強度、等離子體參數(shù)和放電模式隨時間的變化規(guī)律。