真空鍍膜
推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝
電鍍廢水中的有機(jī)污染物來(lái)源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過(guò)程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。
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真空鍍鋁膜耐曲揉性(揉搓性)檢測(cè)
被視為鋁箔代替品的真空鍍鋁材料，在耐折性、韌性上已有很大的改進(jìn)，但要想確保其在經(jīng)過(guò)曲揉后的綜合性能進(jìn)而確保產(chǎn)品的包裝安全，對(duì)其進(jìn)行耐曲揉性檢測(cè)是不可或缺的重要手段。
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Cu/In原子比及硫化溫度對(duì)于CuInS2薄膜性能影響
采用中頻交流磁控濺射方法，在玻璃基底上沉積Cu-In預(yù)制膜，采用固態(tài)硫化法制備獲得了CuInS2(CIS)吸收層薄膜�？疾炝祟A(yù)制膜Cu/In原子比及硫化溫度對(duì)于CIS薄膜結(jié)構(gòu)及禁帶寬度影響。
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采用真空鍍膜制備的疊層結(jié)構(gòu)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的研究
報(bào)道了一種疊層結(jié)構(gòu)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)管，它有別于一般的頂接觸式和底接觸式結(jié)構(gòu)OFET。
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利用朗繆爾雙探針診斷電弧離子鍍等離子體參數(shù)
本文利用朗繆爾雙探針對(duì)電弧離子鍍等離子體進(jìn)行了診斷。雙探針具有收集電流小的優(yōu)點(diǎn) ,可以避免探針在高密度電弧離子鍍等離子體中被燒壞。
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納米TiO2/ITO復(fù)合薄膜的光誘導(dǎo)親水性研究
本文采用直流反應(yīng)磁控濺射法及能量過(guò)濾磁控濺射技術(shù),以玻璃為襯底制備了納米TiO2薄膜和納米TiO2/ITO復(fù)合薄膜。
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強(qiáng)磁場(chǎng)下真空蒸發(fā)Zn薄膜晶粒細(xì)化研究
分別在1T,2T和3T強(qiáng)磁場(chǎng)下采用真空蒸發(fā)沉積制備了三種相同厚度的Zn薄膜,并和無(wú)磁場(chǎng)下制備的薄膜進(jìn)行了對(duì)比研究。
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Zn摻雜TiO2薄膜紫外探測(cè)器及其光電性能研究
采用射頻磁控濺射的方法制備Zn摻雜TiO2薄膜，用XRD、SEM和UV-Vis分別表征TiO2薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌及其紫外-可見(jiàn)光吸收譜。并用此材料制備Au/TiO2/Au結(jié)構(gòu)MSM光電導(dǎo)型薄膜紫外光探測(cè)器，研究其光電特性。
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導(dǎo)電薄膜電阻測(cè)量技術(shù)的可靠性研究
針對(duì)手提式薄膜方塊電阻測(cè)試儀在使用中容易出現(xiàn)的問(wèn)題，進(jìn)行分析研究，提出了解決方案，并在實(shí)驗(yàn)中得到實(shí)現(xiàn)。
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CVD技術(shù)的應(yīng)用與進(jìn)展
論述了化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)的工作原理,與其他表面硬化技術(shù)相比的特點(diǎn),應(yīng)用領(lǐng)域,以及近年來(lái)CVD技術(shù)的發(fā)展。
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VOx/TiOx/Ti多層薄膜的制備工藝與內(nèi)耗研究
用磁控反應(yīng)濺射法在玻璃和鉬片襯底上制備VOx/TiOx/Ti多層薄膜。用X射線衍射(XRD)、QJ31單臂電橋、薄膜內(nèi)耗儀等測(cè)試了薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、電阻、內(nèi)耗。
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一種全自動(dòng)超高真空電子束蒸發(fā)薄膜生長(zhǎng)系統(tǒng)
由于薄膜生長(zhǎng)均勻、沉積速率和膜厚易控、可制備大面積薄膜等特點(diǎn)，電子束沉積技術(shù)在超導(dǎo)薄膜、多層巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究。
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真空鍍鋁紙與薄膜的氣體透過(guò)率測(cè)試方法
作為阻隔性材料的真空鍍鋁紙和膜，通常以氧氣透過(guò)率和水蒸氣透過(guò)率兩項(xiàng)指標(biāo)來(lái)考核其阻隔性能。
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準(zhǔn)分子激光引起的非晶硅薄膜晶化行為的研究
利用KrF準(zhǔn)分子激光對(duì)非晶硅薄膜的表層進(jìn)行了晶化。研究了激光能量密度和照射脈沖數(shù)對(duì)薄膜結(jié)晶度的影響，并對(duì)晶化后薄膜的形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征。
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塑料表面濺射電磁屏蔽膜的研究
本文采用磁控濺射技術(shù)在聚酯塑料上制備出附著力大于5MPa、2GHz~4GHz頻率范圍內(nèi)屏蔽效能大于60dB的復(fù)合結(jié)構(gòu)的電磁屏蔽膜，并研究了導(dǎo)電膜、導(dǎo)磁膜及其復(fù)合膜層的電磁屏蔽特性。
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基底溫度對(duì)四元疊層硒化法制備銅銦鎵硒(CIGS)薄膜的影響
利用四元疊層硒化法制備了銅銦鎵硒（縮寫(xiě)為CIGS）薄膜，重點(diǎn)分析了在疊層法制備CIGS薄膜過(guò)程中，基底溫度對(duì)CIGS薄膜的晶體結(jié)構(gòu)，表面形貌以及各種元素沿深度分布的影響。
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