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真空技術(shù)網(wǎng) - 專業(yè)研究真空、真空技術(shù)及真空泵等真空設(shè)備的真空網(wǎng)。

推薦電鍍污水中有機(jī)污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機(jī)污染物來源主要有3個(gè)方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機(jī)污染物的3種去除方法：生化法、微波化學(xué)法和物化法。

  • 氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜的制備方法

    利用ITO陶瓷靶及射頻磁控濺射工藝制備了氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜。

  • ZnO∶Mo薄膜的光學(xué)性能研究

    ZMO薄膜的光禁帶寬度Eog約為3.41eV, 在可見光范圍內(nèi)平均透過率達(dá)80%左右。

  • ZnO∶Mo薄膜的電學(xué)性能分析

    ZMO薄膜的電阻率隨Mo離子摻雜量的增大而減小,在Mo 摻雜1.5wt% 時(shí)薄膜電阻率最小,為1.97 ×10 -3 Ω·cm, 而大于1.5wt% 時(shí)薄膜的電阻率逐漸增大

  • ZnO∶Mo薄膜的結(jié)構(gòu)分析

    ZMO薄膜的c軸比體材料ZnO的c 軸拉長了;并且隨著摻雜量的增加,c 軸有繼續(xù)增長的趨勢,即晶面間距也有增大的趨勢。

  • 新型透明導(dǎo)電ZnO∶Mo薄膜的制備

    采用直流磁控反應(yīng)濺射技術(shù)成功制備了新型ZnO∶Mo(ZMO) 透明導(dǎo)電薄膜。研究了鉬摻雜量和基片溫度等參數(shù)對ZMO薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。

  • 類金剛石薄膜的反應(yīng)離子刻蝕的最佳刻蝕條件

    研究了類金剛石薄膜的反應(yīng)離子刻蝕工藝。對刻蝕工藝參數(shù)如刻蝕時(shí)間、有無掩膜、反應(yīng)氣體的混合比、負(fù)偏壓等對刻蝕的影響做了較詳盡的研究。根據(jù)刻蝕規(guī)律。成功制備出“獨(dú)立”微齒輪, 并進(jìn)行組裝。

  • 工藝參數(shù)對類金剛石薄膜刻蝕速率的影響

    工藝參數(shù)對類金剛石薄膜刻蝕速率的影響,刻蝕率相對穩(wěn)定基本不隨時(shí)間變化,有無掩膜對刻蝕率影響不大,刻蝕率隨著氬體積百分含量的增大而降低。隨著負(fù)偏壓的增大先增大后減小。

  • 類金剛石薄膜的反應(yīng)離子刻蝕實(shí)驗(yàn)

    本文對電子回旋共振(electron cyclotronresonance,ECR) 微波反應(yīng)離子刻蝕類金剛石薄膜進(jìn)行研究,研究了主要工藝參數(shù)對刻蝕率的影響,刻蝕出結(jié)構(gòu)完整、失真度小、獨(dú)立的微齒輪,并進(jìn)行了組裝。

  • 連續(xù)卷繞CPP鍍鋁膜設(shè)備的部件功能和工作過程

    論述了雙冷卻鍍膜輥懸空平展鍍膜技術(shù)的技術(shù)原理和結(jié)構(gòu)特性，及其在解決CPP 流延塑料薄膜基材表面鍍制鋁膜時(shí)出現(xiàn)亮暗條紋線難題中的顯著效果。并提出獨(dú)特的蒸發(fā)機(jī)構(gòu)冷卻和自流式蒸發(fā)舟設(shè)置的特殊設(shè)計(jì)對提高大型寬幅高

  • 高真空連續(xù)卷繞CPP鍍鋁膜設(shè)備的工作原理及特點(diǎn)

    大型寬幅高真空連續(xù)卷繞鍍膜設(shè)備是專門用于CPP膜鍍鋁的專用設(shè)備，是目前我國自行研制的幅寬最大、效率最高的真空卷繞鍍鋁設(shè)備之一。

  • 磁控濺射靶磁場結(jié)構(gòu)優(yōu)化后實(shí)際刻蝕效果與實(shí)驗(yàn)

    磁控濺射是現(xiàn)代最重要的鍍膜方法之一, 具有簡單, 控制工藝參數(shù)精確和成膜質(zhì)量好等特點(diǎn)。然而也有靶材利用率低、成膜速率低和離化率低等缺點(diǎn)。研究表明磁場結(jié)構(gòu)對上述問題有重要影響, 本文介紹了一種磁控濺射靶磁路優(yōu)

  • 磁控濺射靶的磁場的優(yōu)化設(shè)計(jì)

    采用的是磁路疊加原理來改進(jìn)磁控濺射靶的磁場，最后形成的水平磁場是接近于矩形波的雙峰形式。這樣靶面的磁力線和磁場強(qiáng)度的水平分量更加平滑, 能夠有效地增加靶面跑道的寬度, 實(shí)現(xiàn)靶面均勻刻蝕。

  • 磁控濺射靶的磁場排布分析

    在平面磁控濺射靶中, 磁鋼放置于靶材的后面, 穿過靶材表面的磁力線在靶材表面形成磁場。其中平行于靶面的磁場B 和垂直靶表面的電場E,形成平行于靶面的漂移場E×B。

  • 濺射鋁膜的結(jié)構(gòu)與表面形態(tài)分析

    X射線衍射圖譜表明, 磁控濺射沉積的Al膜為多晶狀態(tài)。用掃描電子顯微鏡對薄膜進(jìn)行表面形貌的觀察, 濺射氣壓為0.4Pa, 濺射功率為2600W時(shí)制備的Al膜較均勻致密。

  • 直流磁控濺射的工藝參數(shù)對鋁膜沉積速率的影響

    Al膜的沉積速率隨著濺射功率的增大先幾乎呈線性增大而后緩慢增大; 隨著濺射氣壓的增大, 沉積速率不斷增大, 在0.4 Pa 時(shí)達(dá)到最大值后, 沉積速率隨濺射氣壓的繼續(xù)增大而減小。

  • 直流磁控濺射法在玻璃基片上制備鋁薄膜的工藝研究

    采用直流磁控濺射方法, 以高純Al為靶材, 高純Ar為濺射氣體, 在玻璃襯底上成功地制備了鋁薄膜。

  • 真空鍍鋁紙印刷工藝中應(yīng)注意的問題

    真空鍍鋁除要選擇質(zhì)量優(yōu)良的鍍鋁紙外，在印刷工藝設(shè)計(jì)上，應(yīng)盡量利用鍍鋁紙的特性，揚(yáng)長避短。真空鍍鋁紙適用于UV 油墨印刷，可用膠印、網(wǎng)印、凹印等，但不同的印刷方法對油墨的要求有所差異。

  • 無柵網(wǎng)離子源的工作原理

    無柵網(wǎng)離子源的工作原理類似于磁控濺射,陽極偏壓在磁力線束縛電子的區(qū)域產(chǎn)生高密度等離子體(high ne ionization region),離子的飛行軌跡不受磁場的影響,在偏壓VDC作用下加速向陰極飛行,在開口處形成能量為VDC離子束,

  • 電子回旋共振(ECR)離子源的工作原理

    ECR離子源微波能量通過微波輸入窗(由陶瓷或石英制成) 經(jīng)波導(dǎo)或天線耦合進(jìn)入放電室, 在窗上表面的永磁系統(tǒng)產(chǎn)生的高強(qiáng)磁場作用下, 放電室內(nèi)的氣體分子的外層電子做回旋運(yùn)動。

  • RF-CCP(電容耦合) 和RF-ICP(感應(yīng)耦合)離子源的結(jié)構(gòu)原理

    電容耦合方式是由接地的放電室(由復(fù)合系數(shù)很小的材料如石英做成)和引入的驅(qū)動電極作為耦合元件，射頻ICP源的發(fā)射天線繞在電絕緣的石英放電室外邊,當(dāng)通過匹配網(wǎng)絡(luò)將射頻功率加到線圈上時(shí),線圈中就有射頻電流通過,于是

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