氣相沉積
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超納米金剛石薄膜的性能和制備及應(yīng)用
文章對超納米金剛石與其他CVD 金剛石的性質(zhì)進(jìn)行了對比，對超納米金剛石的生長機理進(jìn)行了簡要概述，著重分析了各種化學(xué)氣相沉積技術(shù)制備超納米金剛石的基本原理、特點及取得的研究成果，最后詳細(xì)討論了超納米金剛石的
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大尺寸ZnS真空氣相沉積爐的研制
介紹了CVD ZnS 生產(chǎn)工藝、真空氣相沉積爐技術(shù)性能、設(shè)備結(jié)構(gòu)組成及特點。該真空氣相沉積爐是制備大尺寸ZnS 的關(guān)鍵設(shè)備。
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電子束物理氣相沉積熱障涂層抗沖蝕性能研究
通過AIP和EB-PVD技術(shù)制備的熱障涂層，在其抗沖蝕性能評價方面仍然沒有詳細(xì)的報道。為此，本研究利用AIP法制備HY3涂層，利用EB-PVD制備YSZ陶瓷面層，對其組分、相結(jié)構(gòu)和抗沖蝕性能進(jìn)行系統(tǒng)研究，并對評價設(shè)備作介紹。
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直流熱陰極PCVD法間歇生長模式制備透明金剛石膜
采用直流熱陰極PCVD技術(shù)，進(jìn)行了甲烷和氫氣條件下加入氮氣制備透明金剛石膜的研究，主要是通過設(shè)置刻蝕步驟，改變溫度和時間參數(shù)，在間歇生長模式下使氫和氮原子共同作用，實現(xiàn)對非金剛石成份的刻蝕和金剛石的擇優(yōu)取
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放電功率對VHF- PECVD沉積微晶硅薄膜的生長特性的仿真模擬
本文采用Comsol中的等離子體模塊和Chemkinpro中的AUROR模塊相結(jié)合的方法，研究了甚文頻PEVCD沉積μc-Si:H薄膜過程中放電功率對等離子體特性、氣相反應(yīng)和表面生長的影響，并與實驗進(jìn)行了比較。
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HMX顆粒的氣相沉積包覆研究
本文通過真空氣相沉積技術(shù)，在HMX炸藥顆粒表面成功包覆了石蠟和paralene膜，并且在膜較薄情況下實現(xiàn)了包覆度100%。測試了HMX氣相包覆顆粒的機械感度和靜電火花感度。
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35CrMo鋼表面化學(xué)氣相沉積多層硬質(zhì)涂層的結(jié)構(gòu)與性能研究
采用化學(xué)氣相沉積法在35CrMo鋼基表面制備多層硬質(zhì)涂 層，并測試分析了涂層的組成結(jié)構(gòu)、粗糙度和表面力學(xué)性能。
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等離子體加強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備石墨薄膜
本課題利用PECVD方法在銅箔上沉積出石墨薄膜。借助于光學(xué)顯微鏡，Raman 光譜，SEM 等手段對薄膜微觀結(jié)構(gòu)及成分進(jìn)行了分析。
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等離子體加強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)制備石墨烯現(xiàn)狀及應(yīng)用研究發(fā)展
利用PECVD方法制備石墨烯具有基本溫度低，成膜質(zhì)量好，生長面積大，透明度高等特點，近年來逐漸成為制備高質(zhì)量石墨烯的發(fā)展方向。
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化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的紫外脈沖準(zhǔn)分子激光拋光
目前的熱化學(xué)拋光法、化學(xué)機械拋光法等接觸式拋光方法存在易使金剛石膜受損并可能引入其它缺陷和雜質(zhì)等缺點，限制了其應(yīng)用范圍。
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氣相沉積硅薄膜微結(jié)構(gòu)及懸掛鍵缺陷研究
在單晶Si(100)基體上利用電子回旋共振等離子體增強化學(xué)氣相沉積法制備硅薄膜, 并采用X射線衍射譜(XRD)、透射電鏡(TEM)、Raman光譜、電子自旋共振(ESR)波譜等實驗方法研究了不同Ar流量下硅薄膜微結(jié)構(gòu)及懸掛鍵密度的變
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物理氣相沉積(PVD)技術(shù)
物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術(shù)表示在真空條件下，采用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特
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化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的摩擦學(xué)性能研究進(jìn)展
介紹了化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜的主要方法,著重討論了金剛石薄膜的摩擦學(xué)性能研究,簡要分析了化學(xué)氣相沉積金剛石薄膜中存在的問題。
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化學(xué)氣相沉積(CVD)的概念與優(yōu)點
化學(xué)氣相淀積CVD指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。
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