濺射鍍膜
推薦磁控濺射鐵磁性靶材的主要方法
由于磁控濺射鐵磁性靶材的難點是靶材表面的磁場達不到正常磁控濺射時要求的磁場強度，因此解決的思路是增加鐵磁性靶材表面剩磁的強度。
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能量過濾磁控濺射技術(shù)室溫制備ITO膜的光電特性及其應(yīng)用
本文利用該技術(shù)制備了TOLED器件的ITO陽極，研究了ITO薄膜的結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性能，測試了TOLED的發(fā)光效率并與DMS 技術(shù)制備的器件作了對比。
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輝弧共濺射Ar/N2流量比對TiN薄膜結(jié)構(gòu)及硬度的影響
本文在固定其它工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上研究了Ar/N2流量比對TiN 薄膜結(jié)構(gòu)及硬度的影響。
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低溫等離子體輔助脈沖直流磁控濺射制備TiN薄膜
采用一種新型的等離子體輔助脈沖直流磁控濺射濺射沉積方法，在低溫狀態(tài)下制備了氮化鈦薄膜，并對氮化鈦薄膜進行了表征，研究了等離子體源在薄膜制備過程中的作用。
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射頻磁控濺射法沉積SiC-Al薄膜的摩擦特性
通過使用雙靶位磁控濺射設(shè)備在Ti-6Al-4V合金上沉積了SiC-Al 薄膜，著重研究了Al原子的濃度對SiC-Al薄膜的摩擦系數(shù)的影響以及Al中間層對界面強度的影響。
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MgO/Au復(fù)合薄膜的反應(yīng)射頻磁控濺射法制備及表面形貌研究
本文采用反應(yīng)射頻磁控濺射法制備MgO/Au復(fù)合薄膜，比較了Mg靶和Au靶共濺射、分步濺射制備復(fù)合薄膜的表面成分及形貌，研究了濺射時襯底溫度和Ar/O2氣體流量比對薄膜晶粒分布、晶粒尺寸和結(jié)晶取向的影響。
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CSNS/RCS二極陶瓷真空盒磁控濺射鍍TiN薄膜研究進展
為降低陶瓷表面的二次電子發(fā)射系數(shù)(SEY)，采用直流磁控濺射的方法，對二極陶瓷真空盒內(nèi)壁鍍氮化鈦(TiN)薄膜工藝進行實驗研究。
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磁控濺射靶磁場的有限元模擬分析
本文應(yīng)用COMSOL軟件對JGP450C型磁控濺射鍍膜機的圓平面靶表面磁感應(yīng)強度進行了模擬分析計算，得到了靶面水平磁感應(yīng)強度較強、分布較均勻的磁鐵結(jié)構(gòu)參數(shù)。
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制備工藝對磁控濺射Mo-N薄膜微結(jié)構(gòu)和性能的影響
本文采用射頻磁控濺射的方法，通過改變反應(yīng)環(huán)境中的Mo 靶功率、氬氮比、負(fù)偏壓等制備一系列的Mo-N 薄膜，利用X 射線衍射儀、納米壓痕儀、掃描電子顯微鏡和摩擦磨損測試儀對其相結(jié)構(gòu)、顯微硬度和摩擦性能進行研究。
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濺射靶材對TiAlN涂層形貌、結(jié)構(gòu)和力學(xué)性能的影響
本文通過設(shè)計兩種靶材，分別是粉末冶金方法和真空熔煉方法制備的原子比為Ti50Al50的合金靶材，在同一磁控濺射設(shè)備及同一濺射工藝條件下進行鍍膜實驗，研究不同組織結(jié)構(gòu)的Ti50Al50合金靶材對TiAlN涂層的組織結(jié)構(gòu)和性
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Se離子束輔助沉積CIS過程的數(shù)值分析
通過研究離子束輔助沉積與傳統(tǒng)氣相原子沉積生成CIS 薄膜的過程，從擴散均勻性角度分析，對離子束的注入深度效應(yīng)進行數(shù)值計算。
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濺射膜電極與氧化鋅壓敏陶瓷的界面機制研究
利用濺射法制備半導(dǎo)體陶瓷表面的電極有著廣闊的產(chǎn)業(yè)化前景，但關(guān)于濺射膜電極與陶瓷表面的界面機制研究尚鮮有報道。本文采用磁控濺射法在ZnO壓敏陶瓷表面制備了Cr+Cu電極，通過X射線光電子能譜等技術(shù)研究分析了Cr/Zn
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FeCoB-Al2O3軟磁顆粒膜磁特性研究
為了獲得軟磁顆粒膜，本實驗采用了更易控制薄膜成分的射頻雙靶共濺射制備了一系列的( Fe40Co40B20)1 - x( Al2O3)x軟磁顆粒膜。通過振動樣品磁強計( VSM) 以及矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀( VNA) 的測量，研究了基片轉(zhuǎn)速、濺射氣壓
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