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真空基礎(chǔ)

推薦電容器組合介質(zhì)介電常數(shù)與壓緊系數(shù)關(guān)系分析

本文通過(guò)對(duì)組合介質(zhì)介電常數(shù)和元件電容量計(jì)算公式的分析，得出了不同介質(zhì)結(jié)構(gòu)情況下壓緊系數(shù)變化與組合介電常數(shù)之間，以及元件電容與壓緊系數(shù)之間的關(guān)系，對(duì)電容器的設(shè)計(jì)起到一定的指導(dǎo)作用。

不同真空范圍內(nèi)的抽氣時(shí)間計(jì)算

本文講述了不同真空范圍內(nèi)的抽氣時(shí)間計(jì)算方法。如大氣壓-低真空領(lǐng)域的抽氣時(shí)間計(jì)算、中真空領(lǐng)域的抽氣時(shí)間計(jì)算、高真空-超高真空領(lǐng)域的抽氣時(shí)間計(jì)算。
真空管道的流導(dǎo)相關(guān)計(jì)算

本文講述了一些典型的真空管道結(jié)構(gòu)的流導(dǎo)計(jì)算公式及方法。
真空技術(shù)的典型應(yīng)用

現(xiàn)代社會(huì)每個(gè)人都在享受著真空技術(shù)給我們帶來(lái)的便利，本文講述了真空技術(shù)在各行各業(yè)的應(yīng)用。
真空技術(shù)中幾個(gè)重要的概念

本文講述了真空技術(shù)中幾個(gè)重要的概念，如氣體分子的平均自由程、氣體分子的入射頻率、真空中的熱傳導(dǎo)等。認(rèn)識(shí)這些概念將會(huì)對(duì)理解真空技術(shù)有很大的促進(jìn)作用。
真空的發(fā)現(xiàn)和理論基礎(chǔ)

本文講述了真空的發(fā)現(xiàn)和理論基礎(chǔ)，包括馬德堡半球?qū)嶒?yàn)、玻意耳定律等真空技術(shù)最初的理論基礎(chǔ)。
什么是真空？

什么是真空?在給定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓的氣體狀態(tài)稱之為真空狀態(tài)。
我國(guó)真空設(shè)備未來(lái)發(fā)展環(huán)境分析及需求預(yù)測(cè)

高新技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用增進(jìn)和帶動(dòng)了真空設(shè)備行業(yè)的發(fā)展和技術(shù)晉級(jí)，高新技術(shù)的發(fā)展離不開(kāi)真空技術(shù)的廣泛應(yīng)用和強(qiáng)有力的技術(shù)支持。
如何選擇真空泵？真空泵選型注意事項(xiàng)

選用真空泵時(shí)，首先應(yīng)該注意本次選購(gòu)真空泵的最主要的要求、最注重的性能是什么，在泵滿足這一點(diǎn)后再去考慮其他的一些選型要求。
航天器空間環(huán)境模擬器中的等離子體分布規(guī)律

本文詳細(xì)敘述了低軌道空間等離子體的特點(diǎn)，為了準(zhǔn)確校準(zhǔn)Langmuir探針，對(duì)空間模擬裝置內(nèi)等離子體的參數(shù)分布進(jìn)行了詳細(xì)的實(shí)驗(yàn)和數(shù)據(jù)分析，從而在安裝位置上有助于更好地對(duì)探針校準(zhǔn)。
大氣壓低溫等離子體射流器件層流特性的模擬研究

本文建立射流器件二維軸對(duì)稱模型，分析對(duì)等離子體射流傳播影響較大的z軸方向上的摩爾分?jǐn)?shù)分布，與不同氣體組分湯生放電系數(shù)的差異相結(jié)合分析研究氣體流速、噴口直徑和工作氣體對(duì)射流特性的影響。
空間對(duì)接鎖系表面強(qiáng)化及潤(rùn)滑處理技術(shù)

本研究利用等離子體浸沒(méi)離子注入與沉積( PIII&D) 技術(shù)在TC4 合金表面制備DLC 膜，研究不同膜層結(jié)構(gòu)和膜層厚度對(duì)改性層的使用性能和壽命的影響。
HT-7托卡馬克全金屬壁及鋰化條件下輝光放電清洗的研究

本文討論了HT-7 托卡馬克裝置中，全金屬壁以及鋰化條件下的輝光放電清洗。文章首先介紹了聚變裝置中常用的壁處理方法，接著分別介紹了國(guó)內(nèi)外輝光放電清洗和鋰化的研究進(jìn)展，然后闡述了本文研究的內(nèi)容對(duì)于未來(lái)ITER 金
帶狀線法測(cè)量微波材料的復(fù)介電常數(shù)

精確測(cè)量低損耗微波材料的復(fù)介電常數(shù)十分重要。利用帶狀線法測(cè)量微波介質(zhì)基板常溫和變溫的復(fù)介電常數(shù)，得到了高精度的測(cè)試結(jié)果。
一種提高柵氧化物介電常數(shù)的方法

本文通過(guò)對(duì)傳統(tǒng)柵氧制備工藝中PNA 單一高溫退火工藝的溫度、氣體氛圍做了優(yōu)化，提供了一種通過(guò)提高柵氧化物氮含量來(lái)提高其介電常數(shù)的方法。
30cm口徑離子推力器熱特性模擬分析

為了對(duì)30cm口徑LIPS - 300 推力器的熱設(shè)計(jì)提出合理建議，利用有限元分析軟件對(duì)LIPS - 300 離子推力器進(jìn)行地面穩(wěn)態(tài)及熱應(yīng)力分析。
不同面積Kapton材料的放電特性實(shí)驗(yàn)研究

航天器表面介質(zhì)材料在空間等離子環(huán)境下會(huì)產(chǎn)生放電現(xiàn)象，放電誘發(fā)的瞬態(tài)脈沖會(huì)對(duì)航天器在軌安全運(yùn)行產(chǎn)生嚴(yán)重影響。通過(guò)對(duì)不同面積的125 μm 厚Kapton 溫控材料進(jìn)行放電實(shí)驗(yàn)，對(duì)放電誘發(fā)的瞬態(tài)脈沖進(jìn)行測(cè)量，總結(jié)分析
鹽水液滴真空蒸發(fā)過(guò)程的熱力學(xué)研究

基于質(zhì)量與能量守恒原理、熱力學(xué)理論和相變傳熱傳質(zhì)原理，建立了單個(gè)鹽水液滴真空蒸發(fā)過(guò)程的數(shù)學(xué)模型，對(duì)比理論模擬結(jié)果與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，驗(yàn)證了模型的有效性。
靜電偏轉(zhuǎn)器高階像差的三維微分代數(shù)計(jì)算

本文研究了靜電偏轉(zhuǎn)器高階像差在三維空間的微分代數(shù)計(jì)算。利用有限元方法計(jì)算了靜電偏轉(zhuǎn)器電場(chǎng)的三維分布，通過(guò)三維數(shù)據(jù)擬合方法構(gòu)造電磁場(chǎng)分布的三維局部解析式，將電場(chǎng)量轉(zhuǎn)化為微分代數(shù)擴(kuò)展數(shù)，利用微分代數(shù)方法分
蒙特卡羅法計(jì)算分子流狀態(tài)下真空管道的傳輸幾率

采用蒙特卡羅法對(duì)圓形、橢圓和矩形截面管道的分子流傳輸幾率進(jìn)行了計(jì)算，研究了管道縱橫比、內(nèi)壁吸附性以及截面形狀對(duì)其的影響，在模擬分子數(shù)足夠的情況下可獲得足夠精度的解。
射頻等離子體對(duì)純鈦表面的氨基化改性

本實(shí)驗(yàn)采用射頻等離子體技術(shù)，以N2和NH3混合氣體為氣體源對(duì)純鈦表面進(jìn)行氨基化改性，在純鈦表面引入氨基，提高材料表面的生物活性，并討論氨基化機(jī)理。同時(shí)研究了處理時(shí)間、放置時(shí)間和保存方式對(duì)改性鈦片親水性的影