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石墨烯產(chǎn)業(yè)基地落戶重慶高新區(qū)

石墨烯產(chǎn)業(yè)基地已成功落戶重慶高新區(qū)。

新型儲(chǔ)能設(shè)備 電動(dòng)車石墨烯表面鋰離子交換電池

利用鋰離子可在石墨烯表面和電極之間快速大量穿梭運(yùn)動(dòng)的特性，開發(fā)出一種新型儲(chǔ)能設(shè)備，可以將充電時(shí)間從過去的數(shù)小時(shí)之久縮短到不到一分鐘。

國(guó)外媒報(bào)道：利用石墨烯發(fā)明更耐高溫的激光發(fā)射武器

科學(xué)家們表示，利用石墨烯超耐高溫，未來他們可以發(fā)明更耐高溫的激光發(fā)射武器。

中科院在石墨烯可控制備和性能研究方面取得系列重要進(jìn)展

中科院化學(xué)所有機(jī)固體實(shí)驗(yàn)室的相關(guān)科研人員在已有工作的基礎(chǔ)上，在石墨烯的可控制備和性能研究方面取得重要進(jìn)展。

轉(zhuǎn)移硅基底石墨烯首選常州二維碳素科技有限公司

常州二維碳素科技有限公司主要從事石墨烯透明導(dǎo)電薄膜材料的生產(chǎn)和銷售，以及在透明電極、儲(chǔ)能、電子器件等領(lǐng)域的應(yīng)用技術(shù)開發(fā)和技術(shù)支持服務(wù)。

歐洲聚焦石墨烯復(fù)合材料研發(fā)

盡管歐洲是石墨烯的發(fā)源地，但世界其他地方—尤其是遠(yuǎn)東地區(qū)—在石墨烯創(chuàng)新上占據(jù)領(lǐng)先。

國(guó)內(nèi)首條石墨烯薄膜生產(chǎn)線在江蘇常州投產(chǎn)

國(guó)內(nèi)首條年產(chǎn)量達(dá)3萬平方米的石墨烯薄膜生產(chǎn)線近期在江蘇常州投產(chǎn)，這標(biāo)志著中國(guó)在石墨烯產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用方面邁出了關(guān)鍵性的一步。

新型石墨烯晶體管實(shí)現(xiàn)高開關(guān)比率有望應(yīng)用于柔性、透明電子設(shè)備制造

石墨烯晶體管由于僅具有幾個(gè)原子層的厚度，新型晶體管能夠耐受彎曲，未來更有望應(yīng)用于柔性、透明電子設(shè)備的制造，成為后CMOS設(shè)備時(shí)代的有力備選。

石墨烯復(fù)合材料在超級(jí)電容器中的研究進(jìn)展

本文從聚苯胺/石墨烯和二氧化錳/石墨烯復(fù)合材料兩方面，綜述了這兩種材料在超級(jí)電容器電極材料的研究進(jìn)展，展望了以后在超級(jí)電容器電極材料上的良好應(yīng)用前景。

石墨烯超級(jí)電容器研究進(jìn)展

石墨烯作為一種具有高電導(dǎo)率、穩(wěn)定化學(xué)性質(zhì)、大比表面積等優(yōu)勢(shì)的二維碳材料，被認(rèn)為是繼碳納米管之后超級(jí)電容器的理想材料。因此，對(duì)石墨烯超級(jí)電容器的研究有著重要意義。

石墨烯原子尺度上的輸運(yùn)

利用掃描隧道電勢(shì)顯微鏡,直接在實(shí)空間研究了SiC 表面石墨烯微觀尺度上的輸運(yùn)性質(zhì)。

石墨烯納米結(jié)構(gòu)和器件

本報(bào)告報(bào)道我們課題組最近兩年在石墨烯納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)、加工、物性、以及石墨烯原型器件方面的探索。

擴(kuò)展單晶石墨烯

采用低分壓的甲烷氣體作為原材料，這樣沉積產(chǎn)生的晶核密度低，晶體生長(zhǎng)也比較緩慢，這兩點(diǎn)對(duì)于形成大尺寸的單晶石墨烯都是非常關(guān)鍵的。

石墨烯的應(yīng)用前景

本系列將介紹在實(shí)際應(yīng)用中利用石墨烯的各種出色性質(zhì)或特殊性質(zhì)的先端技術(shù)以及石墨烯的應(yīng)用前景。

石墨烯，讓諾基亞更耐摔

諾基亞將會(huì)把石墨烯應(yīng)用在哪些方面呢?我們找到了一個(gè)由諾基亞研究中心編寫的石墨烯在手機(jī)中應(yīng)用的PDF文件，從中可以看到Nokia對(duì)這種新型材料的設(shè)想。

石墨烯—改變世界的新材料

石墨烯的出現(xiàn)不僅給科學(xué)家們提供了一個(gè)充滿魅力與無限可能的研究對(duì)象，更讓我們對(duì)其充滿了期待，也許在不久的將來，石墨烯就會(huì)為我們搭建起更加便捷與美好的生活。

石墨烯的特性

本文講述了石墨烯與眾不同的特性。

石墨烯——碳家族中又一種性質(zhì)獨(dú)特的新材料

“石墨烯——碳家族中又一種性質(zhì)獨(dú)特的新材料”的文章，對(duì)石墨烯的結(jié)構(gòu)和發(fā)展、理論研究?jī)r(jià)值、應(yīng)用前景等進(jìn)行了介紹。

外延石墨烯邊界山脊結(jié)構(gòu)形成機(jī)制的研究

本論文在超高真空分子束外延(MBE)系統(tǒng)中對(duì)單晶6H-SiC 逐步升溫退火，在1250℃~1350℃溫度范圍內(nèi)(6 3 ´6 3)R30°重構(gòu)表面外延生長(zhǎng)出高質(zhì)量的單晶石墨烯。

單晶Ir(111)上的石墨烯的生長(zhǎng),結(jié)構(gòu)及硅插層