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自組織InAs/GaAs與InGaAs/GaAs量子點(diǎn)生長及退火情況的比較

本文采用MBE進(jìn)行InAs/GaAs與InGaAs/GaAs量子點(diǎn)的生長,利用RHEED進(jìn)行實時監(jiān)測,并利用RHEED強(qiáng)度振蕩測量生長速率。

DyAl薄膜真空擴(kuò)散滲及時效處理對燒結(jié)NdFeB磁性和耐蝕性的影響

DyAl薄膜擴(kuò)散進(jìn)入NdFeB表層基體中,提高了磁體的耐熱性和耐蝕性。

木質(zhì)文物真空冷凍干燥的實驗研究

冷凍干燥是除去飽水文物中水分的有效方法。

CVD高純鈦成核熱動力學(xué)及鈦沉積速率分析

采用化學(xué)氣相沉積(CVD)法制備高純鈦。

磁控濺射TiAlN和WTiN薄膜的制備與摩擦性能研究

采用雙靶反應(yīng)磁控濺射的方法在40Cr基體上制備了TiAlN薄膜和WTiN薄膜。

CAB玻璃基底不同方法制備的SiO2膜層性能研究

采用IAD、IBS、MS等三種方法在CAB玻璃上制備了SiO2膜層,通過納米壓痕和劃痕儀測量了膜層的納米硬度和摩擦系數(shù);利用傅里葉轉(zhuǎn)換紅外光譜儀對薄膜光譜性能進(jìn)行了測量;利用SEM,觀測膜層表面和斷面形貌。

不同退火工藝對AZO膜性能的影響

采用射頻磁控濺射技術(shù),制備了綜合性能優(yōu)良的AZO薄膜,通過不同退火工藝處理,研究了其對AZO薄膜的組織結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能及光學(xué)性能的影響。

摻鈦類金剛石膜的制備及在手表外觀件上的應(yīng)用

為有效提高手表外觀件表面的耐磨、耐蝕性能和裝飾性能,采用陽極層流型氣體離子源結(jié)合非平衡磁控濺射技術(shù),制備了梯度過渡摻鈦類金剛石(Ti-DLC)膜層,并對其在手表外觀件上的應(yīng)用進(jìn)行研究。

CuInS2薄膜的單源熱蒸發(fā)制備及其性能研究

以燒結(jié)合成的CuInS2粉末為原料,采用單源熱蒸發(fā)技術(shù)在玻璃基底上沉積CuInS2薄膜。

TiO2納米管上負(fù)載納米鐵的制備及其光電性能研究

AlN/WAlN/W太陽能選擇性吸收多層薄膜研究

真空沉積摻雜制備PARYLENE功能薄膜研究

介紹了高分子材料PARYLENE的真空沉積機(jī)理及其優(yōu)越性和不足。

高功率脈沖磁控濺射氬氮比對ZrN薄膜結(jié)構(gòu)及性能的影響

采用高功率復(fù)合脈沖磁控濺射的方法(HPPMS)在不銹鋼基體上制備ZrN薄膜,對比DCMS方法制備的ZrN薄膜,得出HPPMS制備的薄膜表面更平整光滑、致密,既無空洞、又無大顆粒等缺陷。

CdS薄膜的制備及其在CdTe電池中的應(yīng)用

CSS方法制備的薄膜結(jié)晶較大,光學(xué)和電學(xué)性能好于CBD方法制備的薄膜,太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到10.9%.

半導(dǎo)體表面電學(xué)特性微觀四點(diǎn)探針測試技術(shù)研究進(jìn)展

綜述了微觀四點(diǎn)探針技術(shù)近年來的研究進(jìn)展,主要包括測試?yán)碚�、系統(tǒng)結(jié)構(gòu)與探針制備。

改進(jìn)2.5維多頻大信號互作用程序模擬螺旋線行波管非線性交調(diào)互調(diào)特性

改進(jìn)2.5維多頻大信號互作用程序模擬螺旋線行波管非線性交調(diào)互調(diào)特性

非晶Ni-Al-N薄膜用作Cu互連阻擋層的研究

以一種新的三元非晶化合物薄膜作為Cu 互連的阻擋層, 采用射頻磁控濺射法構(gòu)架了Cu(120 nm) / Ni-Al-N(10nm) /Si的異質(zhì)結(jié)。

94 GHz TE02模回旋管Vlasov 模式變換器的設(shè)計與模擬

研究并設(shè)計了一個由Vlasov 階梯型開口輻射器、橢圓面反射器和拋物面反射器組成的TE02�；匦�管準(zhǔn)光模式變換器。

后柵型場發(fā)射顯示器竄壓現(xiàn)象的研究

提出后柵型場發(fā)射顯示器( FED) 測試過程中的竄壓現(xiàn)象, 解釋該現(xiàn)象的產(chǎn)生原因。

蔭罩式PDP掃描電極和蔭罩對陽極條紋的影響

本文采用基于動力學(xué)模型的OOPIC 仿真軟件模擬具有不同掃描電極寬度和蔭罩結(jié)構(gòu)的蔭罩式等離子顯示器 ( PDP) 放電單元內(nèi)的放電過程, 分析單元內(nèi)的條紋數(shù)量、分布狀態(tài)和介質(zhì)層表面壁電荷分布情況, 研究掃描電極寬度和