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推薦電鍍污水中有機污染物去除工藝

電鍍廢水中的有機污染物來源主要有3個方面：鍍前處理、電鍍過程和鍍后處理。污水中有機污染物的3種去除方法：生化法、微波化學法和物化法。

基于宏單元實驗的蔭罩式PDP結構的優(yōu)化

分析了蔭罩式等離子體顯示板( SMPDP) 的優(yōu)點和存在的不足, 以提高PDP放電效率為目的, 提出了非對稱SMPDP結構。
新型槽式跟蹤太陽能集熱器的中高溫熱利用研究

采用新型導熱介質，主要介紹了集熱裝置的熱性能實驗方法，并著重對槽式跟蹤太陽能集熱器集熱性能進行了研究及分析，通過對槽式跟蹤熱管真空管集熱器理論值與試驗值的比較
鎳硅顆粒膜的表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射特性

提出采用鎳硅顆粒薄膜作為表面?zhèn)鲗щ娮影l(fā)射顯示的發(fā)射體材料，通過光刻和磁控濺射在兩電極（10 μm 間隙）之間制備30 nm 厚的鎳硅顆粒膜。
鍍膜裝置蒸發(fā)源發(fā)射形態(tài)與膜厚分布

根據(jù)蒸發(fā)源與基片之間的物理聯(lián)系入手，分析基片- - 蒸發(fā)源距離對基片涂層均勻性的影響，進而對蒸發(fā)源與蒸發(fā)源、蒸發(fā)源與基片之間距離的確定，提出了自己的一些觀點和看法。
磁控濺射鍍膜膜厚均勻性設計方法

在現(xiàn)有的理論基礎之上，對濺射鍍膜的綜合設計方法進行了初步的建立和研究，系統(tǒng)的建立可以采用“整體到部分，再到整體”這一動態(tài)設計理念，不斷完善設計方法，并將設計方法分為鍍膜設備工程設計、鍍膜工藝設計和計算
白菜真空預冷熱質遷移模型及實驗研究

以柱狀白菜為研究對象，建立了熱質遷移數(shù)學模型，并對該模型采用實驗的方法加以驗證。
電子束焊接：極窄的焊縫和可靠的連接

對于很深而且很窄的平面焊縫時，電子束焊接技術是一個非�？煽康墓に�。它可以把角度變形和橫向收縮量及其它一些非理想的影響減到最小。
磁控濺射沉積二氧化釩薄膜及其電致相變特性研究

采用反應射頻磁控濺射技術在熔融石英玻璃襯底上制備了組分單一的二氧化釩薄膜。
SiC薄膜材料理論模擬研究的動態(tài)

SiC因其寬的禁帶寬度、高的電子飽和速度、大的臨界擊穿場強、高的熱導率和熱穩(wěn)定性等特性而成為制作高頻、大功率和耐高溫器件的理想材料。
LiNbO3壓電薄膜的研究進展

LiNbO3因其優(yōu)異的壓電性能和聲表面波特性而被廣泛應用于聲表面波器件中。
摩擦條件對摻鎢DLC膜摩擦磨損性能的影響

本研究利用SEM、AES、XRD、Raman 譜儀、納米壓痕儀、劃痕儀和球- 盤磨損實驗機對摻鎢DLC膜的微觀結構和摩擦學性能進行了研究
旋轉圓柱靶濺射沉積產額分布

采用數(shù)值計算模型，計算了旋轉圓柱靶濺射產額分布。
高氣壓下氫化微晶硅薄膜的高速沉積

利用甚高頻等離子增強化學氣相沉積（VHF- PECVD）制備了一系列微晶硅（μc- Si:H）薄膜。
高脈沖功率密度復合磁控濺射電源研制及放電特性研究

高功率脈沖磁控濺射技術（HPPMS）由于能夠產生較高的離化率而受到人們的重視。
AlYSi涂層組織結構及抗燃氣熱腐蝕性能

采用真空電弧離子鍍技術在K465鎳基高溫合金基材上制備了AlYSi沉積- 擴散型涂層。
閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍離化特性研究

應用閉合磁場非平衡磁控濺射離子鍍系統(tǒng)，研究了濺射靶電流、偏壓和Ar 流量對偏流密度的影響。
飽水文物一次干燥過程的數(shù)值模擬

冷凍干燥是一種很好的保存出土的飽水文物的方法，因為它能有效防止收縮、開裂、斷裂等現(xiàn)象的發(fā)生
PECVD法沉積氫化非晶硅薄膜內應力的研究

利用等離子體增強化學氣相沉積技術在硅基底上沉積了氫化非晶硅薄膜,通過納米壓入儀、電子薄膜應力分布儀、傅里葉變換紅外光譜儀等表征技術,研究了沉積時的工藝參數(shù)對薄膜內應力的影響,對薄膜的本征應力、熱應力進
平面磁控濺射薄膜厚度均勻性的研究概述

在平面磁控濺射鍍膜系統(tǒng)中，薄膜厚度均勻性作為衡量薄膜質量和成膜系統(tǒng)性能的一項重要指標，得到了國內外學者們的廣泛研究。
INCO718高溫合金釬焊工藝研究

介紹了INCO718 高溫合金的應用及工藝特點，并對該材料的焊接性能進行了深入的研究分析.