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脈沖激光沉積ZrW2O8/ZrO2復合薄膜及其靶材制備
采用化學共沉淀法合成26wt %ZrW2O8/ ZrO2近零膨脹復合陶瓷靶材,并以脈沖激光法在石英基片上沉積制備了ZrW2O8/ZrO2復合薄膜。
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離子束濺射制備CuInSe2薄膜的研究
利用離子束濺射沉積技術,設計三元復合靶,直接制備CuInSe2 薄膜。通過X射線衍射儀 、原子力顯微鏡和分光光度計檢測在不同襯底溫度和退火溫度條件下制備的薄膜的微結構、表面形貌和光學性能。
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工業(yè)純鐵等離子體氮化及Ti/TiN多層薄膜沉積復合處理研究
采用低偏壓高頻等離子浸沒離子注入及氮化技術(HLPⅢ) 對工業(yè)純鐵進行表面改性,然后利用非平衡磁控濺射技術(UBMS) 在低壓高頻等離子浸沒離子注入及氮化處理樣品表面制備Ti/TiN多層膜。
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電子束蒸發(fā)法制備摻釔穩(wěn)定氧化鋯薄膜的光學特性研究
利用電子束蒸鍍方法在單晶硅和石英玻璃上制備了摻不同Y2O3 濃度的摻釔穩(wěn)定ZrO2薄膜(YSZ) ,用X射線衍射、原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡和透射光譜測定薄膜的結構、表面特性和光學性能,研究了退火對薄膜結構和光學性能
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磁控濺射薄膜生長全過程的計算機模擬研究
本文結合了PIC ,MC , EAM,CIC 等方法對整個等離子體磁控濺射成膜過程進行了多尺度的計算機模擬,并系統(tǒng)研究了磁控濺射成膜過程中基板溫度、磁場分布、靶材-基板間距等參數對成膜的影響。
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縫紉機針桿表面沉積含過渡層DLC薄膜及性能的研究
同時放入縫紉機針桿(不銹鋼)、WC 合金、Si 片,并分別制備了DLC、Cr/DLC、Cr/CrC/DLC 三種膜層結構的DLC 薄膜,并對薄膜的表面形貌和性能進行了研究。
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電沉積法制備CuInS2薄膜
采用單步電沉積法和兩步電沉積法在Mo基底上制備CuInS2薄膜,用X射線衍射儀(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)表征了樣品的結構和形貌,用能量散射儀(EDX)測試了樣品中各元素含量。
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