真空鍍膜
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輔助離子束功率密度對透明塑料上室溫磁控濺射沉積ITO薄膜結(jié)構(gòu)和形貌的影響
基于雙極脈沖磁控濺射復合離子束輔助沉積的新工藝,在透明塑料聚碳酸酯基片上,常溫制備了透明導電的銦錫氧化物(ITO)薄膜.重點研究了不同輔助離子束功率密度對ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌的影響。
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反應磁控濺射的機理與特性
采用PVD方法制備介質(zhì)薄膜和化合物薄膜,除了可采用射頻濺射法外,還可以采用反應濺射法。即在濺射鍍膜過程中,人為控制地引入某些活性反應氣體,與濺射出來的靶材物質(zhì)進行反應沉積在基片上,可獲得不同于靶材物質(zhì)的
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中頻脈沖非平衡磁控濺射技術(shù)制備類金剛石膜的結(jié)構(gòu)與性能
本文采用中頻脈沖磁控濺射技術(shù)制備了類金剛石薄膜,研究了沉積氣壓對薄膜厚度、化學鍵結(jié)構(gòu)、機械性能和光學性能的影響。
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電弧離子鍍TiN/Ti納米多層膜的力學性能
本文在TiN涂層和多層結(jié)構(gòu)的基礎上,采用多弧離子鍍方法制備TiN/Ti 多層膜,分析研究調(diào)制周期對其結(jié)構(gòu)及其性能的影響。
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桿狀氧化鈹表面金剛石薄膜的生長
本文利用一種新型線形微波等離子源以CH4和H2為反應氣體在桿狀氧化鈹陶瓷表面進行金剛石膜沉積,研究了基底預處理對金剛石形核密度和膜的連續(xù)性,以及基底溫度對金剛石膜表面形貌和質(zhì)量的影響。
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三種聚合物薄膜氦滲透率的測試
本文利用氦質(zhì)譜檢漏儀測量聚合物薄膜對He的整體漏率,根據(jù)菲克定律計算出聚合物薄膜對He的滲透率,并比較分析三種常用聚合物(PET,PDMS,PI)對He滲透率的大小。
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YSZ/YSZ-NiO電解質(zhì)薄膜在低溫條件下的電學特性研究
采用脈沖激光沉積(PLD)法,在多孔支撐的NiO-YSZ 陽極基底上制備YSZ電解質(zhì)薄膜。利用XRD、SEM和射頻阻抗/ 材料分析儀對多層膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌以及電學特性等進行表征。
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La0.6Sr0.4MnO3/Fe-Ni復合吸波材料制備與性能研究
本文綜合以上考慮制備了鈣鈦礦結(jié)構(gòu)材料La0.6Sr0.4MnO3 和FeNi合金,通過真空球磨將倆種吸波材料按不同比例復合, 并進行適當退火處理, 大幅度提升了La0.6Sr0.4MnO3吸波性能。
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Cu/TiO2/ITO薄膜元件阻變性能與機理研究
本文對TiO2 薄膜阻變性能與機理進行研究,分析得出元件阻變機理與導電細絲理論和普爾-法蘭克效應有關,為解決TiO2 阻變機理的不明朗問題提供了參考。
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新型節(jié)能玻璃真空鍍膜機將在建筑行業(yè)發(fā)揮巨大功效
低輻射玻璃與多功能鍍膜玻璃又稱保溫玻璃,具有最大的日光透射率和最小的反射系數(shù),提高了能量利用率,在采暖建筑中可起到保溫與節(jié)能的作用。
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從iphone6s玫瑰金看真空電鍍手機市場
真空電鍍是一種物理沉積現(xiàn)象。即在真空狀態(tài)下注入氬氣,氬氣樁基靶材,靶材分離成分子被導電的貨品吸附形成一層均勻光滑的表面層。本文從從iphone6s玫瑰金看真空電鍍手機市場的發(fā)展情況。
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真空噴射霧化過程中噴嘴口的流動模型計算與數(shù)值分析
真空噴射霧化過程是真空噴射法制備高分子薄膜主要成膜過程,該方法主要是利用真空室內(nèi)外較大的壓差使聚合物溶液通過噴嘴噴射霧化后分散成不計其數(shù)的高速運動的細小液滴到達基片形成高分子薄膜。
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